1、概述

靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。有金屬類、合金類、氧化物類等等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

（1）金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。 　　

（2）陶瓷靶材：ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。

2、靶材的主要性能要求

（1）純度

純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”、 8”發(fā)展到12”，而布線寬度由0.5um減小到0.25um，0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。 　　

（2）雜質含量

靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

（3）密度

為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。

（4）晶粒尺寸及晶粒尺寸分布 　

通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

3、材質

TA0、TA1、TA2、TA9、TA10、ZR2、ZR0、GR5、GR2、GR1、TC11、TC6、TC4、TC3、TC2、TC1

4、用途

廣泛應用于裝飾鍍膜、耐磨鍍膜、電子行業(yè)CD、VCD等各類光碟以及各種磁碟鍍膜等。

鎢-鈦（W-Ti）膜以及以鎢-鈦（W-Ti）為基的合金膜是高溫合金膜，具有一系列不可替代的優(yōu)良性能。鎢具有高熔點、高強度和低的熱膨脹系數等性能，W/ Ti合金具有低的電阻系數、良好的熱穩(wěn)定性能和抗氧化性能。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線，例如Al、Cu和Ag等已經被廣泛的應用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環(huán)境發(fā)生反應,與介質層的粘結性差,易擴散進入Si與SiO2等器件的襯底材料中，并且在較低的溫度下會形成金屬與Si的化合物,充當了雜質的角色,使器件的性能大幅度下降。而W-Ti合金因具有穩(wěn)定的熱機械性能、低的電子遷移率、高的抗腐蝕性能和化學穩(wěn)定性使其很容易作為布線擴散阻擋層，特別是適合在高電流和高溫的環(huán)境下使用。

5、發(fā)展前景

鎢-鈦靶材作為光伏電池鍍膜材料是最近發(fā)展起來的，它作為第三代太陽能電池的阻擋層是最佳選擇?！　?

由于W-Ti系列薄膜具有非常優(yōu)良的性能，近幾年來應用量急劇增加，2008年W-Ti靶材世界用量已達到400t，隨著光伏產業(yè)的發(fā)展，這種靶材的需求量會越來越大。據行業(yè)預測其用量還會有很大的增加。國際太陽能電池市場以100%的速度增長，目前世界上有多家公司參與太陽能市場的進一步開發(fā)，并已投入市場，如德國的Wverthsurlfulcell，美國的Global solar Energy，日本的Honda showa Solar shell，日立金屬公司等。

我國研發(fā)的超大尺寸、高密度、高純W-Ti靶材，是屬于新型的離子濺射鍍膜靶材料?？蓮V泛應用于顯示屏的阻擋層或調色層，筆記本電腦的裝飾層、電池的封裝、太陽能（光伏）電池的阻擋層，具有很好市場前景和經濟效益。另一方面又可帶動我國鎢產業(yè)的產品升級換代，獲得更高的附加值。

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